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材料加工工程系
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材料加工工程系

姜淼

姓 名:

姜淼


出生年月:

1992年2月


学 位:

工学博士


电 话:


职 称:

准聘教授


邮 箱:

jiangmiao@bit.edu.cn

  • 基本信息

            姜淼,准聘教授,博士生导师,国家级高层次青年人才。2020年9月获得东京大学博士学位,同年10月获得日本学术振兴会外国人特别研究员项目支持;2021年入选国家级高层次青年人才;2022年7月入职北京理工大学材料学院。主持国家自然科学基金青年科学基金项目、冲击环境材料技术国家重点实验室开放基金项目。
            6年海外经历,具有材料学、物理电子学、电子工程交叉专业背景,长期从事自旋电子学材料与器件相关研究,主要专注于高效率、低能耗、超高速的新型磁存储器件的探索与研究工作,在自旋电子学材料与器件、信息化网络构建、大数据高性能存储等领域取得了一系列突出的研究成果,相关论文发表于Nature Electronics、Nature Communications、 Advanced Science等高水平学术期刊,获得领域内知名学者的广泛关注和高度肯定,并多次被媒体报道,被评价为“是自旋电子学领域的重要研究进展之一,是开拓和探索降低磁化翻转所需耗能的新材料和器件结构的契机”。
            团队每年拟招收2-3名研究生(硕士生、硕博连读生或博士生),鼓励有学科交叉背景的学生报考(材料、物理、电子、信息等),在读期间根据研究情况进展可获得出国学习交流机会。博士申报优先考虑具有磁性材料制备、微纳器件加工、磁学电学测试或新型吸波材料设计与制备等相关经验的同学。欢迎有意愿共同做一些有趣的研究工作的同学联系与加入。

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  • 教育经历

    2017.09-2020.09,日本东京大学,电子工程系,工学博士
    2014.09-2017.06,清华大学,材料科学与工程,工学硕士 (双学位)
    2014.10-2017.03,日本东京工业大学,物理电子系,工学硕士 (双学位)
    2010.09-2014.07,北京理工大学,材料成型及控制工程,工学学士

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  • 工作经历

    2022.07-至今,北京理工大学材料学院,准聘教授
    2020.10-2022.05,东京大学工学系研究科,日本学术振兴会外国人特别研究员

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  • 研究领域

    自旋电子学材料与器件、多手段调控磁性薄膜性能、电磁吸收与屏蔽等。

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  • 代表论著

    M. Jiang*, H. Asahara, S. Sato, et al., Electric field control of spin–orbit torque magnetization switching in a spin–orbit ferromagnet single layer. Advanced Science 10, 2301540, 2023.
    M. Jiang*, H. Asahara, S. Sato, et al., Suppression of the field-like torque for efficient magnetization switching in a spin–orbit ferromagnet. Nature Electronics 3, 751-756, 2020.
    M. Jiang*, H. Asahara, S. Sato, et al., Efficient full spin-orbit torque switching in a single layer of a perpendicularly magnetized single-crystalline ferromagnet. Nature Communications 10, 2590, 2019.
    M. Jiang, X. Z. Chen, X. J. Zhou, et al., Electrochemical control of the ultrathin FeRh films. Applied Physics Letters, 108(20): 202404, 2016.
    M. Jiang, E. Matsushita, Y. Takamura, et al., Spin–orbit torque magnetization switching in a perpendicularly magnetized full Heusler alloy Co2FeSi, AIP Advances, 11(11), 115014, 2021.
    M. Jiang, X. Z. Chen, X. J. Zhou, et al., The influence of film composition on the transition temperature of FeRh films. Journal of Crystal Growth, 438: 19-24, 2016.

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